日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極／源極雙數據速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣，設計人員可利用該器件實現更低成本、更小型化的 DDR 存儲器終端解決方案，以滿足數字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數據通信、筆記本以及臺式機電腦等現代大容量存儲器電子產品以及日益豐富的消費類電子產品的需求。

高寬帶內部跨導，Gm放大器與積分動態(tài)電壓定位均可支持超快瞬態(tài)響應，而且外部輸出電容極小。在負載變動幅度為 -1.5A ～+1.5A的典型應用中，輸出電壓偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V~ 3.5V的偏置電壓下工作，這使它在系統(tǒng)僅有2.5V或3.3V電軌的條件下極具競爭力。此外，在RAM暫停工作時，該器件還支持S3 睡眠狀態(tài)控制。

TPS51200 也可用作輸入電壓范圍為 1.1V～3.5 V 的通用高性能低降壓 (LDO) 穩(wěn)壓器。當啟用引腳連接至系統(tǒng)總線電壓時，該器件支持跟蹤啟動與斷電功能，這使設計人員可以輕松實施多軌系統(tǒng)電壓排序，從而簡化設計流程。

TPS51200 的推出進一步增強了 TI 豐富的 DDR 存儲器電源解決方案系列，其中包括支持TPS51100 DDR 終端穩(wěn)壓器，集成汲極／源極 LDO 的 TPS51116 DDR 電源轉換開關以及支持 DDR 終端的 TPS40042 低電壓跟蹤開關穩(wěn)壓器。TPS51200 還進一步豐富了 TI 面向存儲器技術領域已經非常廣泛的 DDR、DDR2 與 DDR3 鎖相環(huán) (PLL) 以及 LDO 產品，其中包括 SN74SSQE32882，作為支持寄存式雙列直插式存儲器模塊的 PLL 集成式 DDR3 寄存器，現已全面投入量產。

供貨情況
采用散熱性能增強型 SON-10 PowerPAD? 集成電路封裝的 TPS51200 產品現已批量上市，可通過 TI 及其授權分銷商訂購。

商標
PowerPAD 是德州儀器的商標。所有注冊商標與其它商標均歸其各自所有者所有。